تقویتکننده کمنویز تمامتفاضلی CMOS با سطح منبع تغذیه پایین و بهره توان بالا برای کاربردهای فراپهنباند | ||
| الکترومغناطیس کاربردی | ||
| مقاله 6، دوره 3، شماره 4، زمستان 1394، صفحه 47-56 اصل مقاله (1.2 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| مجید تکبیری؛ ابوالفضل بیجاری* ؛ سید محمد رضوی | ||
| دانشگاه بیرجند | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز تمامتفاضلی جدید برای کاربردهای فراپهنباند ارائه شده است. تقویتکننده پیشنهادشده شامل طبقهی ورودی گیتمشترک برای بهبود تطبیق امپدانس و طبقه دوم سورس مشترک برای افزایش بهره و کاهش نویز تقویتکننده است. همچنین از فیدبک ترانزیستوری موازی-موازی برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی و بهبود پهنای باند و خطسانی استفاده شده است. تقویتکننده کمنویز پیشنهادشده بر اساس فنّاوری µm 18/0 CMOS RF-TSMC طراحی و با استفاده از نرمافزار ADS شبیهسازی شده است. این تقویتکننده در پهنای باند GHz 7-4، دارای بهره توان مسطح (S21) dB 25/0± 17، عدد نویز کمتر از dB 7/2، تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 10- و خطسانی (IIP3) dBm 1- است. توان مصرفی آن نیز mW 5/8 از منبع تغذیه V 75/0 است. | ||
| کلیدواژهها | ||
| تقویتکننده کمنویز؛ تمام تفاضلی؛ خطسانی؛ فیدبک موازی-موازی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 717 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 576 |
||