سیدفرجی, امیره, احمدی, وحید. (1395). بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی. پدافند الکترونیکی و سایبری, 4(3), 57-64.
امیره سیدفرجی; وحید احمدی. "بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی". پدافند الکترونیکی و سایبری, 4, 3, 1395, 57-64.
سیدفرجی, امیره, احمدی, وحید. (1395). 'بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی', پدافند الکترونیکی و سایبری, 4(3), pp. 57-64.
سیدفرجی, امیره, احمدی, وحید. بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی. پدافند الکترونیکی و سایبری, 1395; 4(3): 57-64.

بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی

الکترومغناطیس کاربردی
مقاله 6، دوره 4، شماره 3، 1395، صفحه 57-64    اصل مقاله (1.05 M)
نویسندگان
امیره سیدفرجی* 1؛ وحید احمدی2
1دانشگاه الزهرا (س)
2تربیت مدرس
چکیده
در این مقاله، با استفاده از موجبر کریستال فوتونی هایبرید، ساختاری برای تقویت کننده رامان پیشنهاد می شود که در آن به کمک ایجاد نانو حفره های پر شده با مواد اپتوفلوییدی در مسیر پمپ و سیگنال، سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش یافته و در نتیجه بهره و عرض باند تقویت رامان افزایش می یابد. در این ساختار، پارامترهای هندسی برای دست یابی به بهره و عرض باند تقویت بزرگتر، بهبود می یابند. معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کِر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل می شوند. سپس با تزریق هم زمان 3 پمپ با طول موج و توان مناسب به ساختار تقویت کننده رامان با طول um 350، بهره رامان 10.06 db و عرض باند تقویت nm 5.75 حاصل می شود.
کلیدواژه‌ها
کریستال فوتونی هایبرید؛ مواد اپتوفلوییدی؛ تقویت کننده رامان؛ معادلات ماکسول
مراجع
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 571
تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 380