شبیه سازی و تحلیل گونه های ناحیه تخلیه الکتریکی و محاسبه بهره مولکول اکسیژن یکتا در لیزرهای ید- اکسیژن الکتریکی | ||
| علوم و فناوریهای پدافند نوین | ||
| مقاله 8، دوره 4، شماره 1 - شماره پیاپی 11، 1392، صفحه 71-76 اصل مقاله (527.05 K) | ||
| نویسندگان | ||
| جواد خلیل زاده* ؛ جبار صیدی | ||
| دانشگاه امام حسین(ع) | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، اثر دمای الکترون بر بهره مولکول اکسیژن یکتایی (O2 (a 1Δg)) بهمنظور تحلیل شرایط بهینه تخلیه در لیزرهای ید – اکسیژن الکتریکی بهصورت نظری بررسی شده است. بهاین منظور، اشباع مولکول اکسیژن یکتا در اثر برخوردهای فوق الاستیک و جدایش O2 (a 1Δg) در اثر برخورد الکترون، مورد توجه قرار گرفته است. معادلات نرخ با استفاده از تقریب دو جملهای معادله بولتزمن حل شدهاند. نتایج بهدست آمده دلالت بر آن دارد که وقتی دمای منسوب به الکترونها، به محدوده 1/2-9/1 الکترونولت برسد، با حذف قسمت عمده اکسیژن اتمی در ناحیه تخلیه، بهره بیشینه اکسیژن یکتا در حدود 45 درصد بهدست میآید. | ||
| کلیدواژهها | ||
| اکسیژن اتمی؛ لیزر ید-اکسیژن تخلیه الکتریکی؛ مولکول اکسیژن یکتا؛ معادله بولتزمن | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 444 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 280 |
||