کنترل ساختار باند بلورهای فوتونیکی یک‌بعدی با استفاده از ویژگی غیرخطی لایهها | ||
| علوم و فناوریهای پدافند نوین | ||
| مقاله 6، دوره 10، شماره 2 - شماره پیاپی 36، تابستان 1398، صفحه 169-175 اصل مقاله (901.7 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| اکبر جعفری دولاما* ؛ عبدالله رحمت نظام‌آباد | ||
| دانشگاه ارومیه | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله ساختار باند یک بلور فوتونیکی یک‌بعدی متشکل از دیالکتریکهای دولایه (لایه اول خلأ و لایه دوم از جنسZnSe است) با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شد. سپس، ساختار باند بلور فوتونیکی با در نظر گرفتن ویژگی غیرخطی لایهها و شدت بالای میدان تابشی برای مقادیر مختلف محاسبه گردید. تغییرات ضرایب شکست هر یک از لایهها در ضرایب گذردهی الکتریکی آنها اعمال شد. چون ضرایب عبور و بازتاب بلور به ضرایب گذردهی الکتریکی لایهها بستگی دارند، با تغییر ضرایب گذردهی الکتریکی لایهها، ساختار باند بلور هم تغییر کرد. نتایج نشان دادند که با افزایش شدت نورتابشی، پهنای فرکانسی شاخههای گاف باند کاهش یافته و در هر دو قطبش TE و TM اندکی به سمت فرکانسهای پایینتر شیفت یافتند. نتایج همچنین نشان دادند که شاخههای گاف باند جدید در فرکانسهای بالاتر ظاهر میشود. این امر نشان میدهد که ساختار باند بلور به وسیله شدت میدان تابشی قابل‌کنترل است. به‌منظور نشان دادن عملی این توانایی برای اپتیک غیرخطی، ساختار باند بلور اشاره‌شده در دو حالت خطی و غیرخطی به‌صورت تابعی از شدت میدان تابشی محاسبه و مقایسه شدند. چنین ساختارهایی میتوانند به‌عنوان پوششهای ضد بازتاب استفاده شوند که بازتاب از سطح را کاهش میدهند. درواقع، با پوششی از بلور فوتونیکی با کاف باند قابل‌کنترل توسط یک لایه غیرخطی اپتیکی بر روی ادوات جنگی، میتوان آنها را از دید رادار دشمن پنهان کرد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| بلورهای فوتونیکی؛ ساختار باند؛ روش ماتریس انتقال؛ اپتیک غیر خطی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 588 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 433 |
||