تعداد نشریات | 38 |
تعداد شمارهها | 1,248 |
تعداد مقالات | 9,029 |
تعداد مشاهده مقاله | 7,975,983 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 4,764,542 |
طراحی و ساخت تقویت کننده 100Wحالت جامد پالسی با استفاده از ماژول های تقویت کننده CW | ||
رادار | ||
مقاله 5، دوره 5، شماره 4، بهمن 1396، صفحه 39-48 اصل مقاله (1.36 M) | ||
نویسندگان | ||
علیرضا رضائی* ؛ ظاهر چراغی | ||
دانشگاه تهران | ||
تاریخ دریافت: 25 آذر 1396، تاریخ بازنگری: 07 اسفند 1397، تاریخ پذیرش: 28 شهریور 1397 | ||
چکیده | ||
این مقاله به شرح اصول طراحی و ساخت تقویت کننده توان در فرکانس GHz 3/4 که متشکل از 3 ماژول w60 است و بین دو مد پالسی و CW (بهصورت دستی یا از طریق واسط کنترلی) سوییچ میگردد، میپردازد. اجزای این تقویتکننده که شامل تقسیمکننده توان، ترکیب کننده توان و جداکننده است، به صورت کامل طراحی شدهاند. این تقویتکننده در فرستنده ماهوارههای مخابراتی کاربرد دارد. برای طراحی تقویت کننده توان w100 از ترکیب سه ترانزیستور TIM4450-60SL شرکت توشیبا استفاده شده است. همچنین از یک ترانزیستور مشابه دیگر به عنوان پیش تقویتکننده در ورودی ترکیب کننده توان استفاده شده است. به منظور شبیه سازی نیز مدار بایاس درین، گیت، ترکیبکننده توان و تقسم کننده توان مایکرواستریپ، در نرمافزار AWR شبیهسازی شده است. طراحی ساده، فناوری بومی و سهولت ساخت از ویژگیهای اصلی این طرح میباشد. در ورودی و خروجی تقویت کننده از یک جداکننده استفاده شده است. بنابراین، اگر به هر دلیلی ورودی تقویت کننده باز بماند و یا کابل ورودی به خوبی بسته نشده باشد به نوسان نخواهد افتاد. | ||
کلیدواژهها | ||
تقویت کننده؛ مایکرواستریپ؛ ترکیب کننده؛ درین؛ گیت | ||
عنوان مقاله [English] | ||
Design and Construction of 100W Solid State Pulse Amplifier by using CW Amplifier Modules | ||
نویسندگان [English] | ||
Alireza Rezaei؛ Taher Cheraghi | ||
چکیده [English] | ||
This article describes the basics of designing and constructing a power amplifier at 4.3GHz. This power amplifier consists of three 60W modules and switches between two pulse modes and CW (manually or through the control interface). The components of this amplifier include a power divider, a power combiner and an isolator and they are fully designed. This amplifier is used in telecommunication transmitter. For the design of the 100 watt power amplifier, combination of the Toshiba TIM4450-60SL transistor has been used. Also, a similar transistor is used as a pre-amplifier in the power input of the combiner connector. In order to simulate the bias gate, the power combiner and microstrip power divider circuit are simulated in the AWR software. A Simple design, native technology and the ease of construction are the main features of this design. An isolator is used at the input and output of the amplifier. Therefore, if the amplifier input remains open for any reasons or the input cable is not properly closed, the amplifier will not fluctuate. | ||
کلیدواژهها [English] | ||
Power amplifier, Transmitter, Power combiner, Duty Cycle | ||
مراجع | ||
[1]Y. S. Noh and B. Y. In, “Highly integrated C-band GaN high power amplifier MMIC for phased array applications,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 25.6, pp. 406-408, 2015.## [2] A. Banerjee, et al., “A 29.5 dBm Class-E Outphasing RF Power Amplifier With Efficiency and Output Power Enhancement Circuits in 45nm CMOS,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 64.8, pp. 1977-1988, 2017.## [3] S. Kang, B. Donghyun, and H. Songcheol, “A 5-GHz WLAN RF CMOS Power Amplifier With a Parallel-Cascoded Configuration and an Active Feedback Linearizer,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 65.9, pp.3230-3244, 2017.## [4]A. Rezaee and M. Pajohesh, “Combination of Neural Network and Genetic Algorithm for Radio Ferequency Power Amplifier Modeling,” India. International Journal of Recent Scientific Research, 7(11), pp. 14303-14306, 2016.## [5] K. Chen, and P. Dimitrios, “Design of highly efficient broadband class-E power amplifier using synthesized low-pass matching networks,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 59, no. 12, pp. 3162-3173, 2011.## [6]U. Goyal, et al., “Design and development of S band 10W And 20W power amplifier,” Applied Electromagnetics Conference (AEMC), 2015 IEEE.IEEE, 2015.## [7]Inc. Cree. CGH40006P - 6W, RF GaN HEMT Die, Rev 2.4, July 2014.## [8]P. Saad, F. Christian, C. Haiying, Z. Herbert, and K. Andersson, “Design of a highly efficient 2–4-GHz octave bandwidth GaN-HEMT power amplifier,” In IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 58, no. 7, pp. 1677-1685, 2010.## [9]B. Mohamadzade and A. Rezaee, “Compact and Broadband Dual Sleeve Monopole Antenna for GSM, Wimax and Wlan application,” Microwave and Optical Technology Letters, vol. 59, issue 6, pp. 1271-1277, ISSN 08952477, june 2017.(ISI,WOS)## [10]M. Abdrahman Basem, N. A. Hesham, and M. E. Gouda, “Design of a 10W, highly linear, ultra wideband power amplifier based on GaN HEMT,” Engineering and Technology (ICET), 2012 International Conference on, IEEE, 2012.## [11]J.-H. Chen, et al., “A broadband stacked power amplifier in 45-nm CMOS SOI technology,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, 48.11, pp. 2775-2784, 2013.## [12]J. Dhar, et al., “Spaceborne C-band Pulsed Solid State Power Amplifier,” Applied Electromagnetics Conference (AEMC), 2009 IEEE, 2009.## [13]G. Garrido, M. Angeles, et al., “Critical analysis of results for a europeanGaN power amplifier after first iteration,” Microwave Integrated Circuits Conference, 2009. EuMIC 2009, European, IEEE, 2009.## [14]S. Lavanga, et al., “High voltage breakdown pHEMTs for C-band HPA,” Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European. IEEE, 2010.## [15]Y. S. Noh and B. Y. In, “Highly integrated C-band GaN high power amplifier MMIC for phased array applications,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 25.6, pp. 406-408, 2015.## [16]E. Reese, et al., “Wideband power amplifier MMICs utilizing GaN on SiC,” Microwave Symposium Digest (MTT), 2010 IEEE MTT-S International, IEEE, 2010.## [17]P. Reynaert and S. Michiel, “RF power amplifiers for mobile communications,” Springer Science & Business Media, 2006.## [18]Y. S. Noh and B. Y. In, “Highly integrated C-band GaN high power amplifier MMIC for phased array applications,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 25.6, pp. 406-408, 2015.## [19]J.-H. Chen, et al., “A broadband stacked power amplifier in 45-nm CMOS SOI technology,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, 48.11, pp. 2775-2784, 2013.## [20]Y. Okamoto, et al., “C-band single-chip GaN-FET power amplifiers with 60-W output power,” 2005 MTT-S, 2005.## [21]J. Dhar, et al., “Spaceborne C-band pulsed solid state power amplifier,” Applied Electromagnetics Conference (AEMC), 2009.IEEE, 2009.## [22]G. Garrido, M. Angeles, et al., “Critical analysis of results for a europeanGaN power amplifier after first iteration,” Microwave Integrated Circuits Conference, 2009. EuMIC 2009, European, IEEE, 2009.## [23]S. Lavanga, et al., “High voltage breakdown pHEMTs for C-band HPA,” Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European, IEEE, 2010.## [24]Y. S. Noh and B. Y. In, “Highly integrated C-band GaN high power amplifier MMIC for phased array applications,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 25.6, pp. 406-408, 2015.## | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 959 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 726 |