اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 38 |
| تعداد شماره‌ها | 1,252 |
| تعداد مقالات | 9,070 |
| تعداد مشاهده مقاله | 8,157,305 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 4,914,535 |
طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز | ||
| علوم و فناوریهای پدافند نوین | ||
| مقاله 1، دوره 3، شماره 2 - شماره پیاپی 8، مرداد 1391، صفحه 95-102 اصل مقاله (6.75 M) | ||
| نویسندگان | ||
| وحید عطار؛ محمد حسین قزل ایاغ* ؛ امیر مسعود میری | ||
| دانشگاه امام حسین(ع) | ||
| تاریخ دریافت: 10 بهمن 1397، تاریخ بازنگری: 26 دی 1403، تاریخ پذیرش: 10 بهمن 1397 | ||
| چکیده | ||
| با توجه به نقش اصلی گیتهای XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوکهای ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضربکنندهها، تمام جمعکنندهها، مقایسهگرها و دیگر مدارها هستند، روشهای جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد مدارات XOR-XNOR گوناگونی مقایسه شده و یک گیت XOR-XNOR توان پایین و مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور طراحی و ارائه شده است. در پدافند غیرعامل مقاومت در برابر اختلالهای الکترومغناطیسی که به صورت نویز در مدارهای الکترونیکی ظاهر میشود، بسیار حائز اهمیت است. بنابراین افزایش مقاومت در برابر نویز به محافظت مدارها در مقابله با اختلالهای الکترومغناطیسی کمک خواهد کرد. نتیجههای شبیهسازی در فناوری (µm) 18/0 در نرمافزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهای تغذیه ازV)) 6/0 تا (V) 3/3 نشان میدهد که مدار پیشنهادی توان مصرفی پایینتر، PDP بهتر و مصونیت نویز مناسبی نسبت به آخرین مدارهای XOR-XNOR گزارش شده را داراست. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| گیت XOR-XNOR؛ حاصل‌ضرب توان-تأخیر (PDP)؛ مصونیت در برابر نویز | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Design of a New Low Power XOR-XNOR Circuit with Improved Noise Immunity | ||
| نویسندگان [English] | ||
| vahid attar؛ mohamad hossein ghezel ayagh؛ amir masoud miri | ||
| چکیده [English] | ||
| Abstract __ Due to the main role of XOR-XNOR gates as the building blocks of many basic arithmetic circuits such as multiplexers, full adders, compressors etc, new methods of improving the speed and power consumption performance has been reported. As the dimensions have been reduced to deep submicron scale, noise immunity has also become an important parameter along with speed, power consumption and size. Herein, the functional properties of a number of these XORXNOR gates are compared and a new low power XOR-XNOR gates with improved noise immunity XOR-XNOR gates using 10 transistors is proposed. In passive defense issues, the immunity to electromagnetic disturbances is of paramount importance. Therefore increasing the circuits’ immunity to noise will help the circuits’ function properly against electromagnetic disturbances. The simulation results with 0.18(μm) technology in an Hspice software for all supply ranges from 0.6(V) to 3.3(V) has shown that the new proposed circuit has lower power consumption, an improved PDP with better noise immunity compared to the previous reported circuits. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| XOR-XNOR Gates, PDP, Noise Immunity | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 451 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 172 |
||