طراحی یک تقویتکننده کم نویز یکپارچه در باند Ka با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0 | ||
| الکترومغناطیس کاربردی | ||
| دوره 8، شماره 2 - شماره پیاپی 21، دی 1399، صفحه 81-87 اصل مقاله (1.16 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| امیر بینقی؛ مجید بقائی نژاد؛ مرتضی رضائی* | ||
| دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، یک تقویتکننده کم نویز در باند Ka بهصورت یکپارچه با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0 برای کاربرد در گیرندههای ماهوارهای ارائه میگردد. این تقویتکننده که متشکل از سهطبقه میباشد پس از طراحی و شبیهسازی، جانمایی شده و بهصورت تمام موج شبیهسازی شده است. حداکثر عدد نویز تقویتکننده در بازه فرکانسی GHz 32 تا GHz 37 برابر با dB 8/1 و محدوده تغییرات بهره برابر dB 4/0 ± 7/20 بهدست آمده است. میزان تلفات بازگشتی در ورودی و خروجی نیز بهتر از dB 16 و نقطه فشردگی بهره dB 1 در خروجی برابر با dBm 13 حاصل شده است. مساحت کل اشغالشده طرح نهایی برابر با mm2 3/1 × 6/1 میباشد. تقویتکنندههای طبقات مختلف از نوع سورس مشترک با پیکربندی source degenerated بوده و تلاش شده است تا حد امکان تطبیق امپدانس با استفاده از خط انتقال بجای سلف پیادهسازی شود. پایداری مدار نیز در بازه فرکانسی وسیع تاGHz 45 برآورده شده که برای بهبود آن از یک مقاومت و مدار تشدید موازی در مسیر تغذیه کمک گرفته شده است. | ||
| کلیدواژهها | ||
| گیرنده ماهواره؛ تقویتکننده کمنویز؛ باند Ka؛ فناوری GaAs HEMT | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 855 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 480 |
||