شبیهسازی عددی انتقال حرارت مزدوج نانوسیال در میکروکانال دوبعدی تحت تأثیر میدان مغناطیسی عرضی: تأثیر قطر نانوذره، عدد رینولدز و اتلاف ویسکوز | ||
| مکانیک سیالات و آیرودینامیک | ||
| دوره 9، شماره 2 - شماره پیاپی 26، آذر 1399، صفحه 79-100 اصل مقاله (1.69 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| فاطمه بشارتی؛ امید جهانیان* | ||
| دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل | ||
| چکیده | ||
| درمقاله حاضر اثر اتلاف لزج بر روی جریان و انتقال حرارت مزدوج نانو سیال آب- آلومینا در یک میکروکانال دوبعدی که تحت تأثیر میدان مغناطیسی یکنواخت قراردارد، با استفاده از روش شبکه بولتزمن تراکمناپذیر بررسی میشود. دیوار بالایی میکروکانال عایق است و شار حرارتی ثابت به دیوار پایینی در منطقه جامد اعمال میشود. این مسئله در اعداد رینولدز 50، 75 و 100، نانوسیال با کسر حجمی 2%، قطر نانوذرات 10 تا 50 نانومتر و اعداد هارتمن 0 تا 30 بررسی شده است.نتایج نشان دادند،در شرایط صرفنظر کردن از اتلاف لزج، استفاده از میدان مغناطیسی در انتقال حرارت مزدوج، نه تنها تأثیر منفی بر عددناسلت میانگین ندارد،بلکه میتواند آن را بهویژه در اعداد رینولدز بالاتر افزایش دهد. همچنین میتوان ذکر کرد که عدد ناسلت میانگین در حالت در نظر نگرفتن اثر اتلاف لزج بیشتر از حالت اعمال ترم اتلاف لزج است بهطوریکه بیشترین مقدار عدد ناسلت دراین حالت، در عدد رینولدز 100 و عدد هارتمن 30 مشاهده میشود. | ||
| کلیدواژهها | ||
| روش شبکهی بولتزمن؛ انتقال حرارت مزدوج؛ نانوسیال؛ میدان مغناطیسی؛ اتلاف ویسکوز | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 453 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 407 |
||