ارائه ساختاری نوین از فوتودیود شکست بهمنی InGaAs / Si SACM photodiode avalanche جهت آشکارسازی در طول موج تابشی 1550 نانومتر | ||
| الکترومغناطیس کاربردی | ||
| دوره 10، شماره 1 - شماره پیاپی 24، فروردین 1401، صفحه 37-45 اصل مقاله (1.13 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| مهدی اسکندری* 1؛ محمد عظیم کرمی2 | ||
| 1کارشناسی ارشد، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت، تهران، ایران | ||
| 2دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم وصنعت، تهران، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (SACM APD InGaAs/Si) برای آشکارساز نور در طول موج 1550 نانومتر ارائه گردیده است. این آشکارساز با ساختاری ساده، از حیث لایهها تعریف و کمیتهای اصلی آشکارسازی آن همانند جریان تاریک، جریان تابش، بهره و پاسخدهی، بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکارساز این است که ولتاژ بایاس آن کمتر از مدلهای موجود در مراجع معرفی شده میباشد و کمیتهای آشکارسازی آن نیز، قابل رقابت با آنها میباشد. این ولتاژ بایاس حداقل 41 % از دیگر مراجع تطبیقی در شرایط مشابه کمتر است. در شاخص(0.9Vbr) ، جریان تابش Aμ 8.3 و جریان تاریک 4.9nA حاصل گشته است. در ولتاژ بایاس 25 ولت جریان تابش Aμ 51 و جریان تاریک 21 نسبت به فوتودیود مشابه افزایش مییابد. از این آشکارساز برای کاربریهای خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، میتوان بهره برداری نمود. | ||
| کلیدواژهها | ||
| آشکارساز؛ فوتو دیود شکست بهمنی؛ پاسخدهی؛ جریان تابش؛ جریان تاریک | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,394 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,364 |
||