پاسخ غیرخطی و پایداری نانولولههای فلکسوالکتریک حامل سیال تحت میدان دمایی با استفاده از تئوری گرادیان کرنش غیرموضعی | ||
| مکانیک هوافضا | ||
| مقاله 2، دوره 18، شماره 1 - شماره پیاپی 67، بهار 1401، صفحه 21-39 اصل مقاله (2.54 M) | ||
| نوع مقاله: گرایش دینامیک، ارتعاشات و کنترل | ||
| نویسندگان | ||
| ابراهیم محمودپور* 1؛ علی پارسا2؛ محمد پارسا2 | ||
| 1نویسنده مسئول: استادیار، گروه مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، واحد بروجرد، دانشگاه آزاد اسلامی، بروجرد، ایران | ||
| 2کارشناسی ارشد، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد خرمآباد، دانشگاه آزاد اسلامی، خرمآباد، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله روش مقیاس های چندگانه برای حل معادلات ارتعاشات آزاد و اجباری غیرخطی نانولولههای فلکسوالکتریک حامل سیال لزج، تحت میدان دمایی واقع بر روی فونداسیون الاستیک غیرخطی با استفاده از تئوری گرادیان کرنش غیرموضعی ارائه شده است. با فرض تئوری تیر اولر- برنولی با تکیهگاه ساده و هندسه غیرخطی ونکارمن، معادله دیفرانسیل حاکم بر ارتعاشات غیرخطی استخراج شده است. یک ولتاژ الکتریکی به سطح بالای نانولوله اعمال میشود که شرایط میدان الکتریکی مدار بسته را ایجاد میکند. در پایان، اثر پارامترهای مختلف مانند تغییرات دما، ولتاژ الکتریکی و ... بر روی قسمتهای حقیقی و موهومی فرکانسهای طبیعی بررسی شده است. همچنین، اثر ضریب فلکسوالکتریک بر رزنانس اولیه، زیرهارمونیک و فوق هارمونیک بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که ضریب فلکسوالکتریک باعث می شود که در رزنانس اولیه و فوق هارمونیک، در ابتدا سیستم رفتار سخت شونده از خود نشان می دهد و پدیده پرش کاملا مشخص است. اما با افزایش آن، سیستم رفتار نرم شونده از خود نشان می دهد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| ارتعاشات آزاد و اجباری غیرخطی؛ نانولوله فلکسوالکتریک حامل سیال؛ میدان دمایی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 332 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 404 |
||