آمار

تعداد نشریات36
تعداد شماره‌ها1,175
تعداد مقالات8,477
تعداد مشاهده مقاله6,462,191
تعداد دریافت فایل اصل مقاله3,702,195
شاکری, عباس, رادمهر, مهدی, قربانی, علیرضا. (1401). پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی. پدافند الکترونیکی و سایبری, 10(1), 67-73.
عباس شاکری; مهدی رادمهر; علیرضا قربانی. "پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی". پدافند الکترونیکی و سایبری, 10, 1, 1401, 67-73.
شاکری, عباس, رادمهر, مهدی, قربانی, علیرضا. (1401). 'پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی', پدافند الکترونیکی و سایبری, 10(1), pp. 67-73.
شاکری, عباس, رادمهر, مهدی, قربانی, علیرضا. پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی. پدافند الکترونیکی و سایبری, 1401; 10(1): 67-73.

پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی

رادار
مقاله 6، دوره 10، شماره 1 - شماره پیاپی 27، تیر 1401، صفحه 67-73    اصل مقاله (811.69 K)
نوع مقاله: مقاله پژوهشی
نویسندگان
عباس شاکری1؛ مهدی رادمهر* 2؛ علیرضا قربانی2
1دانشجوی دکترا، دانشکده مهندسی برق، واحد ساری، دانشگاه آزاد اسلامی، ساری، ایران
2استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد ساری، دانشگاه آزاد اسلامی، ساری، ایران
تاریخ دریافت: 02 اردیبهشت 1401،  تاریخ بازنگری: 30 آذر 1401،  تاریخ پذیرش: 02 اسفند 1401 
چکیده
در این مقاله یک پمپ بار جدید در تکنولوژی CMOS طراحی و پیاده سازی شده است. با بکارگیری بایاس بدنه برای کاهش ولتاژ آستانه و کنترل ولتاژ با بکارگیری مدار مرجع ولتاژ، به مدار افزاینده ولتاژ DC به DC با راندمان بالا جهت تأمین ولتاژ ورودی در حد ۳۲۰ میلی ولت و ولتاژ خروجی بالای یک ولت دست یافته شده است. شبیه‌سازی های لازم انجام شده است تا بتوان مدار افزاینده ولتاژ پیشنهادی را در حالتی‌که نتایج نزدیک به نتایج ساخت باشد بتواند تحلیل شود. مشخصات حاکی از آن است که در مقایسه با کارهای انجام شده قبلی، از خازن‌های کوچکتر جهت کاهش مساحت مدار و همچنین ولتاژ خروجی بالا با بکارگیری حداقل تعداد ترانزیستور بهره برده شده است. نتایج شبیه‌سازی با خازن پمپ بار 25 پیکوفاراد در هر طبقه و فرکانس پالس ساعت 200 کیلوهرتز نشان می‌دهد که ولتاژ ورودی 350 میلی ولت در کمتر از 2 میلی ثانیه به 1.2 ولت می‌رسد. مدار پیشنهادی می‌تواند مناسب برای کاربردهای با توان مصرفی پایین و بکارگیری برداشت انرژی برای تامین ولتاژهای موردنیاز در مدارهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی باشد.
کلیدواژه‌ها
رادار کم توان؛ پمپ بار؛ مدار افزاینده ولتاژ؛ راندمان بالا؛ مساحت کم؛ زمان پایداری؛ شناسایی از طریق فرکانس‌های رادیویی
مراجع
  1. Nilforoosh and R. Aghajani, “SINR Enhancement in Co-located MIMO RADAR with Multiple Targets,” Journal of Radar, vol. 8, no. 2, 2020 (Serial No. 24) (In Persian).
  2. Pan and T. Samaddar, “Charge Pump Circuit Design,” New-York: McGraw-Hill, 2006.
  3. W. Lau and L. Siek, “A 2.45 GHz CMOS rectifier for RF energy harvesting,” in 2016 IEEE wireless power transfer conference (WPTC): IEEE, pp. 1-3, 2016.
  4. Peng, N. Tang, Y. Yang and D. Heo, “CMOS Startup Charge Pump with Body Bias and Backward Control for Energy Harvesting Step-Up Converters,” in IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 61, no. 6, pp. 1618-1628, 2014.
  5. Ballo, A. D. Grasso and G. Palumbo, “A High-Performance Charge Pump Topology for Very-Low-Voltage Applications,” in IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, vol. 67, no. 7, pp. 1304-1308, 2020.
  6. Mahmoud, M. Alhawari, B. Mohammad, H. Saleh, and M. Ismail, “A charge pump-based power management unit with 66%-efficiency in 65 nm CMOS,” in 2018 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS): IEEE, pp. 1-4), 2018.
  7. Ballo, G. Giustolisi, A. D. Grasso, and G. Palumbo, “A Clock Boosted Charge Pump with Reduced Rise Time,” in 2018 25th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS): IEEE, pp. 605-608, 2018.
  8. Mahmoud, M. Alhawari, B. Mohammad, H. Saleh, and M. Ismail, “A multi-input, multi-output power management unit using Dickson charge pump for energy harvesting applications,” in Proc. IEEE 59th Int. Midwest Symp. Circuits Syst. (MWSCAS), Florence, Italy, pp. 1–4, 2016.
  9. Mahmoud, M. Alhawari, B. Mohammad, H. Saleh and M. Ismail, “A Gain-Controlled, Low-Leakage Dickson Charge Pump for Energy-Harvesting Applications,” in IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 27, no. 5, pp. 1114-1123, 2019.
  10. Carlos A. Pinheiro, Fabián Olivera, Antonio Petraglia, “A Three-Stage Charge Pump with Forward Body Biasing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol.68, no.11, pp.4810-4819, 2021.
  11. Tingxu Hu, Mo Huang, Yan Lu, Rui P. Martins, “A Capacitor-Cross-Connected Boost Converter with Duty Cycle < 0.5 Control for Extended Conversion-Ratio and Soft Start-Up,” IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol.69, no.10, pp.4272-4283, 2022.
  12. Andrea Ballo, Alfio Dario Grasso, Gaetano Palumbo, “A Bulk Current Regulation Technique for Dual-Branch Cross-Coupled Charge Pumps,” IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, vol.69, no.10, pp.4128-4132, 2022.
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 112
تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 30